Dr. Ralf Göttsche

Angestellt, Research Engineer, Intel Deutschland GmbH

München, Deutschland

Werdegang

Berufserfahrung von Ralf Göttsche

  • Bis heute 4 Jahre und 5 Monate, seit Feb. 2020

    Research Engineer

    Intel Deutschland GmbH

    Physikalisches Design von asynchronen neuromorphen Chips; Analyse von Architekturen und Algorithmen von Spiking Neural Networks (SNNs) und deren Vergleich zu Artificial Neural Networks (ANNs).

  • Bis heute 10 Jahre, seit Juli 2014

    Physical Design Engineer

    Intel Deutschland GmbH

    SOC Microprocessor IP design im Back-End (Synthese & APR) unter Verwendung der Programme 'Design Compiler' und 'ICC'. Spezieller Fokus auf Power Analyse (Leckstrom, Statisch, dynamisch incl. Gate-Level Simulation) unter Verwendung der Werkzeuge 'VCS', 'Debussy', 'Primetime PX' und Zuverlässigkeitsverifikation (IR-Drop, Elektromigration, Self-Heating) mit dem Programm 'Redhawk' und ähnlichen. Innovative Design Studien bzgl. Neuromorphe Schaltkreisentwicklungen.

  • 4 Jahre und 11 Monate, Aug. 2009 - Juni 2014

    Senior Design Engineer

    Intel

    Backend Experte im Bereich SOC-Design (Synthese, APR, etc.) von Anwendungsprozessoren (Application Processors). Erfahrungen in den Tools DC, ICC, Primetime, etc. Datenpfad Design und Design von speziellen, digitalen Schaltkreisen zur Logik-Optimierung, Energie-Einsparung und/oder schnelleren Verarbeitung.

  • 3 Jahre und 10 Monate, Okt. 2005 - Juli 2009

    Senior Application Engineer

    Intel

    Unterstützen des Entwurfes von Mikroprozessoren und Chip-Sets durch die Bereitstellung von Tools, Flows und Collaterals, wie Technologie-Files, Run-Sets und Bibliotheken. Der Schwerpunkt liegt in der Bereitstellung von analoger und digitaler Standardzellen-Bibliotheken und Software-Umgebungen für die Lebenszeit-Zuverlässigkeitsprüfung (Elekromigration, Self-Heating, IR-Drop, thermische Analyse).

  • 11 Monate, Nov. 2004 - Sep. 2005

    Ingenieur

    Ingenieurbüro Ralf Göttsche

    Dienstleistungen im Bereich Halbleitersimulation und Computer System Administration

  • 4 Jahre und 2 Monate, Sep. 2000 - Okt. 2004

    Doktorand

    Technische Universität Hamburg-Harburg/Infineon Technologies AG

    Doktorand in einer wissenschaftlichen Kooperation zwischen der Technischen Universität Hamburg-Harburg, Institut für Nanoelektronik, und der Forschungsabteilung Systems Technology der Infineon Technologies AG. Das Thema der Dissertation war 'Entwicklungsumgebung virtueller Technologien für das zukünftige Design digitaler CMOS Schaltungen'. Stichworte: Zukünftige Technologien und ihre Herausforderungen, Device Design, Bauelemente Modellierung, Design Implementierung per AHDL oder Schematic

Ausbildung von Ralf Göttsche

  • Bis heute 15 Jahre und 6 Monate, seit 2009

    Elektrotechnik

    Technische Universität Hamburg-Harburg

  • 7 Jahre, Okt. 1993 - Sep. 2000

    Elektrotechnik

    Technische Universität Hamburg-Harburg

    Technische Informatik, Rechnerarchitektur, Mikroelektronik

Sprachen

  • Deutsch

    -

  • Englisch

    -

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