Dr. Liana Movsesyan
Angestellt, Product Engineer (IGP), Infineon Technologies AG
Regensburg, Deutschland
Werdegang
Berufserfahrung von Liana Movsesyan
Bis heute 6 Jahre und 7 Monate, seit Dez. 2017
Product Engineer (IGP)
Infineon Technologies AG
3 Monate, Nov. 2016 - Jan. 2017
Wissenschaftliche Mitarbeiterin
Technische Universität Darmstadt
Aufbereitung von Daten und Analysen zur wissenschaftlichen Publikation; Betreuung einer Masterarbeit.
4 Jahre, Okt. 2012 - Sep. 2016
Promotion
GSI Helmholtzzentrum für Schwerionenforschung/TU Darmstadt
1 Jahr, Juli 2015 - Juni 2016
Wissenschaftliche Mitarbeiterin
GSI Helmholtzzentrum für Schwerionenforschung1 Jahr, Feb. 2011 - Jan. 2012
Junior Wissenschaftlerin
Staatliche Universität Jerewan, Armenien
Ausbildung von Liana Movsesyan
3 Jahre und 11 Monate, Nov. 2012 - Sep. 2016
Material- und Geowissenschaften
Technische Universität Darmstadt (TU Darmstadt)
Nanotechnologie, Ionenbestrahlung, Ätzung von Polymermembranen, Nanodrähte, (Foto)Elektrochemie, Brennstoffzelle
1 Jahr und 10 Monate, Sep. 2010 - Juni 2012
Halbleiterphysik und Mikroelektronik
Staatliche Universität Jerewan (Armenien)
Halbleiterphysik, Micro- und Nanotechnology, Materialwissenschaft
3 Jahre und 10 Monate, Sep. 2006 - Juni 2010
Halbleiterphysik und Mikroelektronik
Staatliche Universität Jerewan (Armenien)
Halbleiterphysik, Materialwissenschaft
Sprachen
Englisch
Fließend
Russisch
Fließend
Deutsch
Gut
Armenisch muttersprache
-