Dr. Yvo Barnscheidt
Angestellt, Ingenieur Integration und Transfer, Vishay Siliconix Itzehoe GmbH
Hannover, Deutschland
Über mich
Studierter Halbleiterphysiker und Mikrotechnologe mit großem Interesse an aktuellen Themen der Mikroelektronik. (Elektromobilität, Leistungselektronik, Schichtwachstum, Optoelektronik, Reinraum- und Vakuumtechnologie) Familienmensch der Wert auf flexible Arbeitszeiten und Möglichkeiten zum Home Office wertschätzt und sucht. Eine gute Arbeitsatmosphäre, Teamarbeit und Wertschätzung durch den Arbeitgeber sind mir wichtig.
Werdegang
Berufserfahrung von Yvo Barnscheidt
Bis heute 2 Jahre und 1 Monat, seit Juni 2022
Ingenieur Integration und Transfer
Vishay Siliconix Itzehoe GmbH3 Jahre und 5 Monate, März 2018 - Juli 2021
Doktorand, Projektingenieur
Institut für Materialien und Bauelemente der Elektronik, Uni Hannover
Selbstorganisiertes Forschen am epitaktischen Germaniumwachstum. Teamarbeit an aktuellen Forschungsfragen. Betreuung und Koordination von mehreren Abschlussarbeiten und stud. Hilfskräften. Praktikumsbetruung. Präsentation der Ergebnisse auf Seminaren, nationalen und internationalen Tagungen.
5 Monate, Apr. 2014 - Aug. 2014
Praktikum
Advanced Mask Technology Center GmbH & Co. KG
Praktikum in den Bereichen Clean & Inspection - Entwicklung einer Software zur schnellen Datenanalyse. Dazugehöriges Datenmonitoring, selbstorganisiertes Arbeiten. - Mitarbeit in Prozessoptimierung (Yield), Datenanalyse in R, statistische Versuchsplanung (DoE)
Ausbildung von Yvo Barnscheidt
3 Jahre und 5 Monate, März 2018 - Juli 2021
Elektrotechnik
Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover
Abschlussnote: Mit Auszeichnung Thematik: Reduktion der Durchstoßversetzungsdichte in epitaktischen Germaniumschichten Spezialisierte Kenntnisse in Oberflächenphysik, Kristallwachstum, Halbleiterphysik, diverse Analytikmethoden (TEM, XRD, AFM, SEM, Raman-Spektroskopie, XPS, RHEED)
1 Jahr und 10 Monate, Okt. 2015 - Juli 2017
Nanotechnologie
Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover
Abschlussnote 1,3 mit Auszeichnung Vertiefung Nanoelektronik, Halbleiterphysik, Laserphysik Masterarbeit über: Germaniumepitaxie auf Silizium, Herstellung von Ge-Photodioden
4 Jahre, Okt. 2011 - Sep. 2015
Nanotechnologie
Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover
Abschlussnote: 2,5 Vertiefung Elektrotechnik und Physik Bachelorarbeit über die Herstellung und Charakterisierung von Si pn-Mesadioden
Sprachen
Deutsch
Muttersprache
Englisch
Fließend
Französisch
Gut